三星正在考虑在其下一代DRAM中应用模压填充（MUF）技术。三星最近测试了一种用于3D堆栈（3DS）内存的MR MUF工艺，与TC NCF相其吞吐量有所提升，但物理特性却出现了一定恶化。经过测试，该公司得出结论，MUF不适用于高带宽内存（HBM），但非常适合3DS RDIMM，而目前3DS RDIMM使用硅通孔（TSV）技术制造，主要用于服务器。

（来源同花顺，以上信息为南都·湾财社AI大数据自动生成）

编辑：林意欣