长鑫科技宣布第五代DRAM技术平台量产,早盘一度涨超5%

9月20日，长鑫存储在世界制造业大会上正式宣布第五代DRAM技术平台实现量产，该平台在关键工艺维度实现了多项技术突破，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。不过，长鑫科技也在后续公告中提示，第五代工艺技术平台良率爬坡需要一定的周期，新产品导入客户也需经过验证与认证周期，9月21日长鑫存储高开，早盘一度涨超5%，最高达58.76元/股，盘中涨幅有所收窄，截至发稿时报56.56元/股，涨1.84%，总市值3.84万亿元。

9月21日盘前，长鑫科技发布《关于第五代工艺技术平台实现量产的自愿性披露公告》，称公司于8月29日披露的《2026年半年度报告》中提到公司第五代工艺技术平台正在进行客户认证。9月20日，公司在2026世界制造业大会上宣布，公司第五代工艺技术平台正式实现量产，并同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品。

长鑫科技在其公众号“长鑫存储”发文介绍称，第五代平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达45:1。开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将第五代平台核心功能区高度缩小到6762纳米。

文章称，第五代微缩工艺的突破推动存储密度实现跨越式提升：每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%，在产品能效、成本控制上均具备显著优势。本次大会同步展出两款基于该平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。

不过，前述公告也风险提示称，公司第五代工艺技术平台作为全新平台，良率爬坡需要一定的周期。公司基于第五代工艺技术平台的产品，尚未形成规模销售，新产品导入客户需经过验证与认证周期，市场拓展进度存在不确定性。

据南都湾财社此前报道，长鑫科技主营业务为DRAM的设计、研发、生产和销售，该公司成立于2016年，此前长鑫科技采取“跳代研发”的策略，完成从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产。今年7月27日，长鑫科技正式登陆科创板。

在本轮超级存储周期中，长鑫存储已实现盈利，2025年营收617.99亿元，同比增长155.6%，归母净利润18.75亿元，同比扭亏。

进入2026年后，长鑫科技业绩实现爆发式增长，长鑫科技此前预计，2026年上半年营收在1100亿元至1200亿元，归母净利润在500亿元至570亿元。8月28日发布的上市后首份财报显示，长鑫科技2026年上半年实现营收1503.10亿元，同比大增873.6%，归母净利润776.05亿元，两项数据均大幅高于预期。

采写：南都湾财社记者 赵元